二極體的正向導通壓降是什麼意思,二極體的導通電壓是什麼意思

2021-05-15 15:11:25 字數 1898 閱讀 3982

1樓:華哥專業電工

二極體:正向導通,反向截止,說的是什麼意思?老電工教給你

2樓:鑫焱榮耀

二極體壓降是怎麼回事?一分鐘

3樓:匿名使用者

正向導通壓降是在管子正向導通的時候,二極體兩端的電壓,也就是它引起的壓降;死區電壓是它的門坎電壓,也就是說,在這個電壓以下時,即使是正向的,它也不導通。

4樓:匿名使用者

二極體的結構是在矽材料或鍺材料上滲入不同的雜質形成pn結由於電流只能由p結流向n結所以叫正向導通,但是pn結導通時都要有一個壓降,矽管的正向壓降是0.6伏左右,鍺管的正向壓降是0.2伏左右。

二極體的導通電壓是什麼意思

5樓:默默她狠傷

二極體的導通電壓是二極體正向導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7v,鍺管為0.3v)。

正向特性:在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。

只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.2v,矽管約為0.6v)以後,二極體才能直正導通。

導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3v,矽管約為0.7v),稱為二極體的「正向壓降」。

反向特性:在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。

當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

二極體的工作原理:晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其介面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。

二極體最重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極體的正向特性和反向特性。

6樓:灰色人生

就是能夠使二極體正常工作的最低正向電壓。二極體正向導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7v,鍺管為0.3v)。

正向特性在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。

反向特性在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。

7樓:匿名使用者

二極體正向導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7v,鍺管為0.3v)。

正向特性在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為「門檻電壓」,鍺管約為0.

2v,矽管約為0.6v)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.

3v,矽管約為0.7v),稱為二極體的「正向壓降」。

反向特性在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方向導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

8樓:匿名使用者

二極體的導通電壓是什麼意思呢電壓是看你這個線路夠不夠電壓能帶起來嗎

什麼是二極體?二極體的單向導電性是什麼意思

二極體是矽材料或鍺材料製成的np或pn結單向導通的電子元件,其單向導通是正向電阻很小,反向電阻很大。單向導電也就是單向導通,也就是電流只允許向一個方向流動。一般用在整流電路中和檢波電路。都是半導體元件,半導體的意思就是單向導電,要正負極接對了才導電,接錯了就不導電。矽或鍺半導體材料製成,單向導電性就...

二極體為什麼會有單向導電性,二極體的單向導電性具體指什麼

二極體是把p型半導體和n型半導體結合在一起形成的。只有在pn方向加正電壓才能導通電流從p型半導體和n型半導體,電流不能從n型半導體流向p型半導體,這是物質的物理特性決定。把p型半導體和n型半導體結合在一起,p區 p型半導體 中空穴濃度大,n區中電子濃度大。因此在兩者的結合面會發生電子與空穴的擴散。空...

二極體的單向導電性,二極體的單向導電性具體指什麼

先要知道 si摻雜入3價元素就是p區,摻雜入5價元素就是n區 然後應該這麼理解 pn結加正相電壓,使空間電荷區減小,有利於多子的擴散,p區多子是空穴,少子是電子,n區多子是電子,少子是空穴 反之,當pn結加反相電壓,空間電荷區增大,不利於多子的擴散,有利於少子的飄逸 而有利於多子的擴散所產生電流導通...