1樓：長春北方化工灌裝裝置股份****
共沉澱，一種沉澱從溶液中析出時，引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。
產生共沉澱的原因有：
①表面吸附，由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價數愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。
吸附是一放熱過程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。
②包藏，在沉澱過程中，如果沉澱劑較濃又加入過快，則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代，就被後來沉積上來的離子所覆蓋，於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部，這種現象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如，在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子ba2+；為了保持電中性，表面上的ba2+又吸引cl-；如果晶體成長很慢，溶液中的硫酸鋇將置換出大部分cl-；如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。
因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。
③生成混晶，如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當大量ba2+和痕量ra2+共存時，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出，這是由於二者有相同的晶格結構,ra2+和ba2+的離子大小相近的緣故。
2樓：晴晴
共沉澱(coprecipitation)，一種沉澱從溶液中析出時，引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。例如，用氯化鋇沉澱硫酸鋇時,若溶液中有k+、fe3+存在,在沉澱條件下本來是可溶性的硫酸鉀和硫酸鐵，也會有一小部分被硫酸鋇沉澱夾帶下來，作為雜質混在主沉澱中。
原因：產生共沉澱的原因有：
①表面吸附，由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價數愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。
吸附是一放熱過程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。
②包藏，在沉澱過程中，如果沉澱劑較濃又加入過快，則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代，就被後來沉積上來的離子所覆蓋，於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部，這種現象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如，在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子ba2+；為了保持電中性，表面上的ba2+又吸引cl-；如果晶體成長很慢，溶液中的硫酸鋇將置換出大部分cl-；如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。
因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。
③生成混晶，如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當大量ba2+和痕量ra2+共存時，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出，這是由於二者有相同的晶格結構,ra2+和ba2+的離子大小相近的緣故。意義：
共沉澱現象是玷汙沉澱的主要因素，要通過沉澱反應在溶液中獲得絕對純的沉澱是不可能的。在重量分析中，總是設法減少共沉澱的影響。洗滌和陳化是經常採取的措施，它們雖然對減少混晶共沉澱無能為力，卻可以有效地減少表面吸附和包藏引入的雜質。
改變雜質離子存在形式，降低沉澱速度，或採用均相沉澱，都是經常採取的措施，如這些方法不能奏效，還可採取再沉澱的方法。
什麼叫共沉澱現象
3樓：逍遙九少
你好共沉澱，是一種沉澱從溶液中析出時，引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。
歡迎追問。
什麼是共沉澱現象?產生共沉澱的原因有哪幾種?
4樓：匿名使用者
共沉澱現象是指一種沉澱物從溶液中析出時，引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。共有表面吸附、吸留（包藏）和混晶三種。具體：
（1）表面吸附 表面吸附是由沉澱表面構晶離子的力場不平衡引起的。以agcl沉澱為例，晶體內部的每個ag+離子周圍排布著6個cl－離子，每個cl－離子周圍也排布著6個ag+離子，力場處於平衡狀態。晶體表面的每個ag+（或cl－）離子僅與5個相反電荷的構晶離子為鄰, 從而導致力場不平衡。
晶稜和晶角上構晶離子的力場不平衡狀態更甚。力場不平衡的構晶離子具有吸附異電荷微粒的能力。例如, agcl沉澱表面能吸附過量沉澱劑（nacl）帶進溶液中的cl－離子形成吸附層，吸附層的cl－離子還可以通過靜電引力吸附溶液中的na+離子和h3o＋離子形成擴散層，擴散層中的部分離子還可因cl－離子的強烈吸引力而進入吸附層。
吸附雜質的多少與沉澱的總表面積和溶液的溫度有關。對同量沉澱而言, 顆粒越小比表面越大, 與溶液的接觸面積越大, 吸附的雜質也越多。無定形沉澱的比表面特別大, 表面吸附現象也特別嚴重。
由於吸附是放熱過程, 因而提高溫度有利於減少對雜質的吸附。 溶液中的離子可被沉澱表面吸附, 表面吸附的離子也可重新進入溶液。因而通過洗滌操作可使沉澱淨化。
（2）吸留 沉澱生成速率太快, 導致表面吸附的雜質離子來不及離開沉澱表面, 而被後來沉澱上去的離子覆蓋在沉澱內部的共沉澱現象叫吸留。洗滌方法不能除去由吸留造成玷汙, 除去這類雜質一般通過沉澱陳化或重結晶的途徑實現。（3）混晶或固溶體的生成 晶形沉澱都有一定的晶體結構。
如果溶液中存在與構晶離子電荷相同、半徑相近的雜質離子, 晶格中構晶離子就可能部分地被雜質離子取代而形成混晶, 混晶是固溶體的一種。生成混晶的條件十分嚴格，但只要具備了條件，避免生成混晶也困難。例如，pb2+離子和ba2+離子的電荷和半徑滿足生成混晶的條件, 只要有pb2+離子存在（不論其濃度多麼低），baso4沉澱過程中難以避免生成baso4-pbso4混晶。
以混晶方式存在的雜質不能通過洗滌方法除去，陳化的方法也不奏效。如果有這種雜質, 只能在沉澱操作之前預先分離。
產生共沉澱的原因有哪些
5樓：長春北方化工灌裝裝置股份****
共沉澱，一種沉澱從溶液中析出時，引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。
①表面吸附，由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價數愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。
吸附是一放熱過程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。
②包藏，在沉澱過程中，如果沉澱劑較濃又加入過快，則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代，就被後來沉積上來的離子所覆蓋，於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部，這種現象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如，在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子ba2+；為了保持電中性，表面上的ba2+又吸引cl-；如果晶體成長很慢，溶液中的硫酸鋇將置換出大部分cl-；如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。
因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。
③生成混晶，如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當大量ba2+和痕量ra2+共存時，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出，這是由於二者有相同的晶格結構,ra2+和ba2+的離子大小相近的緣故。
什麼叫共沉澱法？
6樓：景田不是百歲山
共沉澱(coprecipitation)，一種沉澱從溶液中析出時，引起某些共存的可溶性物質一起沉澱的現象。共沉澱是重量分析法誤差的主要**之一，主要原因有表面吸附，混晶，包埋等。
吸附共沉澱(adsorption coprecipitation)是由於沉澱表面吸附引起的共沉澱。在沉澱晶格內部，正負離子按照一定的順序排列，離子都被異電荷離子所飽和，處於靜電平衡狀態。而處於沉澱表面，稜角的離子電荷未達到平衡，它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。
沉澱顆粒越小，表面積越大，吸附溶液裡異電荷離子的能力就越強。
7樓：匿名使用者
沉澱法通常是在溶液狀態下將不同化學成分的
物質混合,在混合液中加人適當的沉澱劑製備前驅體沉澱物,再將沉澱物進行乾燥或鍛燒,從而製得相應的粉體顆粒.根據沉澱方式的不同,其可分為:直接沉澱法,共沉澱法,均相沉澱法和水解沉澱法等.
直接沉澱法就是使溶液中的某一種金屬陽離子
發生化學反應而形成沉澱物,共沉澱法是指在溶液中含有兩種或多種陽離子,它們以均相存在f溶液中,加人沉澱劑,經沉澱反應後,可得到各種成分的均一的沉澱,它是製備含有兩種或兩種以上金屬元素的複合氧化物超細粉體的重要方法
沉澱和共沉澱區別是什麼？共沉澱過程中要注意哪些問題？
8樓：匿名使用者
沉澱，是指應沉澱下來的成分，共沉澱，是指伴隨沉澱而沉澱下來的其他成分。共沉澱分為混晶和包夾。對於包夾，沉澱時要注意「稀、攪和陳化」，還可再沉澱。
對於混晶，只能通過再沉澱方式減少。
9樓：匿名使用者
沉澱是一種或者多種物質沉澱
共沉澱是二種以上沉澱生成
共沉澱與繼沉澱有什麼區別?
10樓：匿名使用者
當沉澱從溶液中析出時溶液中的某些可溶性組分也同時沉澱下來的現象稱為共沉澱.當沉澱與母液一起放置時,溶液中某些雜質離子可能慢慢地沉積到原沉澱上,放置時間越長,雜質析出的量越多,這種現象稱為繼沉澱. 由繼沉澱引入雜質的量比共沉澱多,且隨沉澱在溶液中放置時間的延長而增多.
滿意請採納
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