如何測定霍爾靈敏度?它和哪些因素有關?為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法

2021-04-18 19:45:25 字數 3259 閱讀 6397

1樓:假面

霍爾636f707962616964757a686964616f31333431346339元件(由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高.

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:

(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。

(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

2樓:

霍爾的bai靈敏度指單位電壓或者du單位電流在單位磁場下zhi(比如dao1t或者1mt)產生的回霍爾電壓,這個霍爾電壓一般答很小(最多mv級別)。霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件(或者晶片)的材料有關,一般來講,材料的遷移率越高,則靈敏度越高。另外,霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關。

霍爾元件(一般由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高。

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

霍爾效應實驗報告如何用實驗測量霍爾元件的靈敏度?設計實驗 5

3樓:匿名使用者

求出u:i為斜率k1,k1=靈敏度乘以b。用斜率除以磁通量,b=cim

實驗:霍爾效應中霍爾元件的靈敏度和哪些因素有關?

4樓:匿名使用者

答:霍爾效應中霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關。

霍爾係數和霍爾靈敏度的物理意義是什麼?

5樓:春素小皙化妝品

霍爾係數的物理意義:表徵霍爾常數,霍爾靈敏度的物理意義:表示霍爾效應的強弱。

霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比,它通常可以表徵霍爾常數。

在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度δ成反比,即

式中的rh稱為霍爾係數,它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

擴充套件資料

霍爾效應(hall effect),當固體導體放置在一個磁場內,且有電流通過時,導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊,繼而產生電壓(霍爾電壓)的現象。

電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性,可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子(自由電子)之運動所造成。霍爾效應於2023年由埃德溫·赫伯特·霍爾(edwin herbert hall)發現。

除導體外,半導體也能產生霍爾效應,而且半導體的霍爾效應要強於導體。

6樓:匿名使用者

表示在單位磁感應強度和單位控制電流時的霍爾電勢的大小。

uh=rh*ic*b/d(1),式中rh稱為霍爾係數,它的單位是米的三次方每庫侖。

霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場,則在寬度y方向上會產生電動勢uh,這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢,其大小可表示為:

uh=rh*ic*b/d(1)

式中,rh稱為霍爾係數,它的單位是米的三次方每庫侖,由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度,ic 為電流,b為磁場強度

設rh/d=k,則式(1)可寫為:

uh=k*ic*b (2)

可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,k稱為乘積靈敏度。k值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。

在式(2)中,若控制電流ic,為常數,磁感應強度b與被測電流成反比,就可以做成霍爾電流感測器;另外,若仍固定ic為常數,b與被測電壓成正比,又可製成霍爾電壓感測器。

霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾(a.h.hall,1855-1938)於2023年在研究金屬的導電機構時發現的。

當電流垂直於外磁場通過導體時,在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。

7樓:匿名使用者

表示在單位磁感應強度和單位控制電流時的霍爾電勢的大小。 表示在單位磁感應強度和單位控制電流時的霍爾電勢的大小。

8樓:宇柱

霍爾係數:比例係數r(h)(霍爾係數)是反映材料霍爾效應強度的重要引數,在高斯單位制中,只要測出u(h)以及知道i、b和d,可按下式計算r(h): r(h)=(u(h)*d)*10^8/(i*b)

霍爾靈敏度: 表示在單位磁感應強度相單位控制電流時的霍爾電勢大小。k(h)=u(h)/(i*b)

霍爾係數和霍爾靈敏度的物理意義是什麼?

9樓:匿名使用者

表示在單位磁感應強度和單位控制電流時的霍爾電勢的大小。

uh=rh*ic*b/d(1),式中rh稱為霍爾係數,它的單位是米的三次方每庫侖。

霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場,則在寬度y方向上會產生電動勢uh,這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢,其大小可表示為:

uh=rh*ic*b/d(1)

式中,rh稱為霍爾係數,它的單位是米的三次方每庫侖,由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度,ic 為電流,b為磁場強度

設rh/d=k,則式(1)可寫為:

uh=k*ic*b (2)

可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,k稱為乘積靈敏度。k值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。

在式(2)中,若控制電流ic,為常數,磁感應強度b與被測電流成反比,就可以做成霍爾電流感測器;另外,若仍固定ic為常數,b與被測電壓成正比,又可製成霍爾電壓感測器。

霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾(a.h.hall,1855-1938)於2023年在研究金屬的導電機構時發現的。

當電流垂直於外磁場通過導體時,在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。

如何提高霍爾元件靈敏度,如何測定霍爾靈敏度?它和哪些因素有關?為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法?

霍爾線性器件精度高,線性度好 霍爾開關裝置為無接觸 無磨損 輸出波形清晰 無抖動 無彈跳 位置重複性高 最高可達m級 採用多種補償和保護措施,霍爾裝置工作溫度範圍,可達 55 150 當磁場不太強烈,霍爾電勢差呃直接與勵磁電流的乘積成正比,我和磁感應強度b,和大廳段的厚度成反比,即呃 rh 我 b ...

什麼是霍爾效應?霍爾電動勢與哪些因素有關

當電流垂直於抄外磁場通過半導體時,載流子發生偏轉,垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場,從而在半導體的兩端產生電勢差,這一現象就是霍爾效應。霍爾電動勢的影響因素如下 由霍爾效應的原理知,霍爾電勢的大小取決於 rh為霍爾常數,它與半導體材質有關 ic為霍爾元件的偏置電流 b為磁場強度 d為半導體材料...

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