雙向觸發二極體db3工作原理

1樓：匿名使用者

如下圖是雙向觸發二極體的結構、符號、等效電路及伏安特性圖。它是三層對稱性的二端半導體器件，等效於基極開路、發射極與集電極對稱的npn電晶體。其正、反向伏安特性完全對稱。

在一般情況下，雙向觸發二極體呈高阻截止狀態。工作原理：當外加電壓(不分正負)的幅值大於雙向觸發二極體的轉折電壓時，它便會擊穿導通也就是說只要在它的控制極上加上正的或負的觸發脈衝，都能使管子觸發導通。

只要在陽極和陰極加正向電壓並且控制板極有觸發電流就能導通。值得注意的是：可控矽一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處於導通狀態。

要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者施加反向電壓。

而對於雙向閘流體來說，它相當於兩個單向閘流體的反向並聯，這樣的話雙向閘流體在正、反兩個方向上都能夠控制導電，因此，雙向閘流體的正、反向伏安特性曲線具有對稱性，所以給雙向閘流體的控制極加正的或負的觸發脈衝，都能使管子觸發導通，因此普遍用於交流控制開關場合。

2樓：匿名使用者

雙向觸發二極體（diac）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控矽，在電路中作過壓保護等用途。

圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的npn型電晶體。因此完全可用二隻npn電晶體如圖4連線來替代。

雙向觸發二極體正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5）。當器件兩端所加電壓u低於正向轉折電壓v（b0）時，器件呈高阻態。當u>v(b0)時，管子擊穿導通進入負阻區。

同樣當u大於反向轉折電壓v（br）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△v（b）表示。△v（b）=v（b0）-v（br）。

一般△v（b）應小於2伏。雙向觸發二極體的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60v、100-150v、200-250v。

由於轉折電壓都大於20v，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極體，錶針均應不動（rx10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞，並能提供大於250v的直流電壓的電源，檢測時通過管子的電流不要大於是5ma。用電晶體耐壓測試器檢測十分方便。

如沒有，可用兆歐表按圖6所示進行測量（正、反各一次），電壓大的一次v（br）。例如：測一隻db3型二極體，第一次為27.

5v，反向後再測為28v，則△v（b）=v（b0）-v（br）=28v-27.5v=0.5v<2v,表明該管對稱性很好。

圖7是雙向觸發二極體與雙向可控矽等元件構成的檯燈調光電路。通過調節電位器r2，可以改變雙向可控矽的導通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現連續調光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現連續調溫。

該電路在雙向可控矽加散熱器的情況下，可控負載功率可達500w，各元件引數見圖所標註。

3樓：神級人氏

雙向觸發二極體原理正、反向伏安特性幾乎完全對稱。當器件兩端所加電壓u低於正向轉折電壓v（b0）時，器件呈高阻態。當u>v(b0)時，管子擊穿導通進入負阻區。

同樣當u大於反向轉折電壓v（br）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△v（b）表示。△v（b）=v（b0）-v（br）。

一般△v（b）應小於2伏。雙向觸發二極體的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60v、100-150v、200-250v。

如沒有，可用兆歐表按圖6所示進行測量（正、反各一次），電壓大的一次v（br）。例如：測一隻db3型二極體，第一次為27.

5v，反向後再測為28v，則△v（b）=v（b0）-v（br）=28v-27.5v=0.5v<2v,表明該管對稱性很好。

4樓：俱懷逸興壯思飛欲上青天攬明月

當雙向觸發二極體兩端所加電壓u低於正向轉折電壓v（b0）時，器件呈高阻態。當u>v(b0)時，管子擊穿導通進入負阻區。同樣當u大於反向轉折電壓v（br）時，管子同樣能進入負阻區。

轉折電壓的對稱性用△v（b）表示。△v（b）=v（b0）-v（br）。一般△v（b）應小於2伏。

雙向觸發二極體亦稱二端交流器件(diac)，與雙向閘流體同時問世．由於它結構簡單、**低廉，所以常用來觸發雙向閘流體，還可構成過壓保護等電路。雙向觸發二極體的構造、符號及等效電路。