為什麼磁路不飽和時,磁通密度和磁動勢成正比?謝謝

2021-08-01 03:57:11 字數 2460 閱讀 2162

1樓:匿名使用者

就和直流電路的電流與電動勢相位相同是一個道理。磁動勢/磁通=磁阻。磁阻是實數,所以磁動勢和磁通同相位。

為什麼當磁通較小時,鐵磁部分沒有飽和,磁壓降很想,整個磁路的磁動勢幾乎全部消耗在氣隙上?這句話怎麼

2樓:匿名使用者

磁通小時,鐵磁部分磁阻很小,所以磁壓降很小,氣隙磁阻比鐵磁部分大很多,在同一磁通量下,磁動勢也比鐵磁部分大很多

繞線電感的磁飽和電流跟磁芯的飽和磁通密度時間是什麼關係?謝謝~ 10

3樓:fyp浪人

n*ae*bs=l*ip

說明:n為圈數,ae為有效橫街面積,bs為磁通密度

l為電感量,ip為峰值電流 ,設計時bs不能超過250mt,最好是200mh左右

4樓:青川小舟

在磁通密度遠小於飽和磁通密度時,磁通密度近似正比於線圈電流。在磁路高度飽和(在磁通密度遠大於飽和磁通密度)時,隨電流繼續增加磁通密度的增加量很小。

與飽和磁通密度對應的電流就是線圈的飽和電流

在磁路中,當磁阻大小不變時,磁通與磁動勢成?

5樓:假面

磁路的歐姆定律是:通過磁路的磁通與磁動勢成正比,而與磁阻成反比。

磁路與電路有某些相似之處。若磁路中有一磁通經過若干段磁路,則此各段磁路的總磁位降等於各段磁路上磁位降之和。每一段磁路的磁位降等於該段磁路的磁阻與磁通的乘積,從而可得總磁阻等於各段磁路磁阻之和。

這相當於串聯電阻電路的總電阻等於其中各電阻之和。

同樣,磁路中若有多個磁路支路並聯,則各支路的兩端有相同的磁位降,各磁路支路的磁通之和即等於總磁通,從而可得這些並聯支路的總磁導等於各支路磁導之和。這相當於並聯電路的總電導等於其中各電導之和。

當鐵心磁路上幾個磁動勢同時作用,磁路計算為什麼不能用疊加定理? 5

6樓:浙

要分情況討論,如果是線性磁路(磁路處於非飽和狀態)則可以應用疊加原理;若果是非線性磁路(磁路處於飽和狀態),這時候不再是線性關係,不能應用疊加原理,因為這個時候應用疊加原理的結果和單獨作用後的和是不相等的。(類似於電路中的疊加原理只能應用於線性電路)

為什麼磁動勢等於場強與長度之積

7樓:

編輯一、f=φ·rm,φ=b*s(s為與磁場方向垂直的平面的面積),rm=l/μa(l表示磁路長度,a表示磁路橫截面積)。二、f = n·i,n表示線圈匝數,i表示線圈中的電流大小。三、f = h·l,(h為磁場強度,與磁密度b和磁路材料等有關) l表示磁路長度。

公式一:作用在磁路上的磁動勢 f 等於磁路內的磁通量 φ 與磁阻rm的乘積。公式二:

通電線圈產生的磁動勢 f 等於線圈的匝數 n 和線圈中所通過的電流 i 的乘積,也叫磁通勢,磁動勢f的單位是安培(a)。公式三:f 是磁場強度h在磁路l上的積分。

感應電機的磁動勢為:n-繞組匝數,單位為次數(turns)

i-繞組中的電流,單位為安培 (a)

φ-磁通量,單位為韋伯 (wb)

rm-磁路的磁阻,單位為安培/韋伯 (a/wb)公式一又被稱為霍普金斯定律或磁路歐姆定律.2單位編輯安培-匝數(at), 國際單位制。代表一匝導線線圈流過1安培電流時所產生的磁勢。

吉伯 (gilbert 或gi),是iec1930 [1]提出的單位。屬於釐米-克-秒制中的磁動勢單位。與安培-匝數定義不同,是一個比安培-匝數稍小的單位。

這個單位是以英國物理學家和哲學家威廉·吉爾伯特 (1544–1603)的名字命名的。

若外加電壓隨時間正弦變化,當磁路飽和時,單相變壓器的勵磁磁動勢隨時間變化的波形是什麼波形?

8樓:匿名使用者

當外加電壓為正弦波時,則對應的主磁通的波形也為正弦波,所以其勵磁電流的波形為尖頂波,而磁動勢與勵磁電流成正比,所以單相變壓器的勵磁磁動勢隨時間變化的波形亦為尖頂波

9樓:匿名使用者

隨一次側的電壓波形變化,頻率是一致的

10樓:匿名使用者

我擦 ,到底選哪個?有個確定的答案麼?尖頂波這個是對的吧?

為什麼由同步特性和短路特性計算出的同步電抗是不飽和值,計算時必須用氣隙線上的對應電壓

11樓:要發的節奏呀

由於短路情況下電樞磁動勢基本上是一個純去磁作用的直軸磁動勢,使氣隙合成磁動勢很小,對應的氣隙合成磁通很小,電機磁路處於不飽和狀態,這時求出的是xd的不飽和值。因為計算的是不飽和電抗,空載電勢也需用不飽和值。由於磁通不飽和時,空載電動勢與勵磁電流成正比,所以用氣隙線上的對應電壓。

12樓:

所以為什麼由同步特性和短路特性計算出的同步電抗是不飽和值,計算時必須用氣隙線上的對應電壓?

交流磁路中,電壓決定磁通原則,為什麼是一次側的電壓,而不是二

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