1樓：阿沾
點缺陷、線缺陷—位錯、面缺陷。
1、點缺陷，只涉及到大約一個原子大小範圍的晶格缺陷。
2、線缺陷—位錯，位錯的概念2023年由泰勒提出到2023年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。
3、面缺陷，是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種介面，如小角晶界、疇界壁、雙晶介面及晶粒間界等。
性質晶體缺陷的存在對晶體的性質會產生明顯的影響。實際晶體或多或少都有缺陷。適量的某些點缺陷的存在可以大大增強半導體材料的導電性和發光材料的發光性，起到有益的作用；而位錯等缺陷的存在，會使材料易於斷裂，比近於沒有晶格缺陷的晶體的抗拉強度，降低至幾十分之一。
晶體缺陷有的是在晶體生長過程中，由於溫度、壓力、介質組分濃度等變化而引起的；有的則是在晶體形成後，由於質點的熱運動或受應力作用而產生。它們可以在晶格內遷移，以至消失；同時又可有新的缺陷產生。
2樓：淵源
晶體結構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中區域性範圍內，質點的排布偏離週期性重複的空間格子規律而出現錯亂的現象。
根據錯亂排列的展布範圍，分為下列4種主要型別。
①點缺陷。只涉及到大約一個原子大小範圍的晶格缺陷。它包括：
晶格位置上缺失正常應有的質點而造成的空位；由於額外的質點充填晶格空隙而產生的填隙；由雜質成分的質點替代了晶格中固有成分質點的位置而引起的替位等。在類質同象混晶中替位是一種普遍存在的晶格缺陷。
②線缺陷—位錯。位錯的概念2023年由泰勒提出到2023年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，即位錯。
這個分界外，即已滑移區和未滑移區的交線，稱為位錯線。位錯有兩種基本型別：位錯線與滑移方向垂直，稱刃位錯，也稱稜位錯；位錯線與滑移方向平行，則稱螺旋位錯。
刃位錯恰似在滑移面一側的晶格中額外多了半個插入的原子面，後者在位錯線處終止。螺旋位錯在相對滑移的兩部分晶格間產生一個臺階，但此臺階到位錯線處即告終止，整個面網並未完全錯斷，致使原來相互平行的一組面網連成了恰似由單個面網所構成的螺旋麵。
③面缺陷。是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種介面，如小角晶界、疇界壁、雙晶介面及晶粒間界等。
其中的堆垛層錯是指沿晶格內某一平面，質點發生錯誤堆垛的現象。如一系列平行的原子面,原來按abcabcabc……的順序成週期性重複地逐層堆垛，如果在某一層上違反了原來的順序，如表現為abcabcab│abcabc……，則在劃線處就出現一個堆垛層錯，該處的平面稱為層錯面。堆垛層錯也可看成晶格沿層錯面發生了相對滑移的結果。
小角晶界是晶粒內兩部分晶格間不嚴格平行，以微小角度的偏差相互拼接而形成的介面。它可以看成是由一系列位錯平行排列而導致的結果。在具有所謂鑲嵌構造的晶格中，各鑲嵌塊之間的介面就是一些小角晶界。
也有人把晶體中的包裹體等歸為晶體缺陷而再分出一類體缺陷。
④體缺陷。體缺陷主要是沉澱相、晶粒內的氣孔和第二相夾雜物等。
實際金屬中的晶體缺陷有哪些
3樓：華全動力集團
1、點缺陷：
空位、間隙原子、異類原子。
點缺陷造成區域性晶格畸變，使金屬的電阻率、屈服強度增加，密度發生變化。
2、線缺陷：位錯。位錯的存在極大地影響金屬的力學效能。
當金屬為理想晶體或僅含極少量位錯時，金屬的屈服強度很高，當含有一定量的位錯時，強度降低。當進行形變加工時，位錯密度增加，將會增高。
3、面缺陷： 晶界、亞晶界。面缺陷是由位錯垂直排列成位錯牆而構成。亞晶界是晶粒內的一種面缺陷。
在晶界、亞晶界或金屬內部的其他介面上，原子的排列偏離平衡位置，晶格畸變較大，位錯密度較大，原子處於較高的能量狀態，原子的活性較大，所以對金屬中許多過程的進行，具有極為重要的作用。晶界和亞晶界均可提高金屬的晶體缺陷有點缺陷、線缺陷、面缺陷三種缺陷。
4樓：上海艾荔艾金屬材料****
金屬材料的主要效能包括：
一、物理效能
1、密度 2、熔點 3、熱膨脹性 4、導熱性 5、導電性 6、磁性
二、化學效能
1、耐腐蝕性 2、抗氧化性 3、化學穩定性
三、機械效能
1、強度 2、彈性與剛性 3、塑性 4、硬度 5、韌性 6.疲勞
四、工藝效能
1、鑄造性 2、鍛壓型 3、焊接性 4、可切削性 5、熱處理工藝性
實際金屬晶體中存在缺陷,這些缺陷是：
（1）點缺陷：如空位,間隙原子,置換原子.
（2）線缺陷：如刃型位錯,螺旋型位錯.
（3）面缺陷：分外表面和內介面兩類.內介面型如晶界,亞晶界,孿晶界等.
晶體中可能有哪些晶體缺陷
5樓：淵源
晶體結構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中區域性範圍內，質點的排布偏離週期性重複的空間格子規律而出現錯亂的現象。
根據錯亂排列的展布範圍，分為下列4種主要型別。
①點缺陷。只涉及到大約一個原子大小範圍的晶格缺陷。它包括：
晶格位置上缺失正常應有的質點而造成的空位；由於額外的質點充填晶格空隙而產生的填隙；由雜質成分的質點替代了晶格中固有成分質點的位置而引起的替位等。在類質同象混晶中替位是一種普遍存在的晶格缺陷。
②線缺陷—位錯。位錯的概念2023年由泰勒提出到2023年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，即位錯。
這個分界外，即已滑移區和未滑移區的交線，稱為位錯線。位錯有兩種基本型別：位錯線與滑移方向垂直，稱刃位錯，也稱稜位錯；位錯線與滑移方向平行，則稱螺旋位錯。
刃位錯恰似在滑移面一側的晶格中額外多了半個插入的原子面，後者在位錯線處終止。螺旋位錯在相對滑移的兩部分晶格間產生一個臺階，但此臺階到位錯線處即告終止，整個面網並未完全錯斷，致使原來相互平行的一組面網連成了恰似由單個面網所構成的螺旋麵。
③面缺陷。是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種介面，如小角晶界、疇界壁、雙晶介面及晶粒間界等。
其中的堆垛層錯是指沿晶格內某一平面，質點發生錯誤堆垛的現象。如一系列平行的原子面,原來按abcabcabc……的順序成週期性重複地逐層堆垛，如果在某一層上違反了原來的順序，如表現為abcabcab│abcabc……，則在劃線處就出現一個堆垛層錯，該處的平面稱為層錯面。堆垛層錯也可看成晶格沿層錯面發生了相對滑移的結果。
小角晶界是晶粒內兩部分晶格間不嚴格平行，以微小角度的偏差相互拼接而形成的介面。它可以看成是由一系列位錯平行排列而導致的結果。在具有所謂鑲嵌構造的晶格中，各鑲嵌塊之間的介面就是一些小角晶界。
也有人把晶體中的包裹體等歸為晶體缺陷而再分出一類體缺陷。
④體缺陷。體缺陷主要是沉澱相、晶粒內的氣孔和第二相夾雜物等。
什麼是晶體缺陷？晶體中可能有哪些晶體缺陷
6樓：哊點壞
晶體結構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現為晶體結構中區域性範圍內，質點的排布偏離週期性重複的空間格子規律而出現錯亂的現象。
根據錯亂排列的展布範圍，分為下列4種主要型別。
①點缺陷。只涉及到大約一個原子大小範圍的晶格缺陷。它包括：
晶格位置上缺失正常應有的質點而造成的空位；由於額外的質點充填晶格空隙而產生的填隙；由雜質成分的質點替代了晶格中固有成分質點的位置而引起的替位等。在類質同象混晶中替位是一種普遍存在的晶格缺陷。
②線缺陷—位錯。位錯的概念2023年由泰勒提出到2023年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，即位錯。
這個分界外，即已滑移區和未滑移區的交線，稱為位錯線。位錯有兩種基本型別：位錯線與滑移方向垂直，稱刃位錯，也稱稜位錯；位錯線與滑移方向平行，則稱螺旋位錯。
刃位錯恰似在滑移面一側的晶格中額外多了半個插入的原子面，後者在位錯線處終止。螺旋位錯在相對滑移的兩部分晶格間產生一個臺階，但此臺階到位錯線處即告終止，整個面網並未完全錯斷，致使原來相互平行的一組面網連成了恰似由單個面網所構成的螺旋麵。
③面缺陷。是沿著晶格內或晶粒間的某個面兩側大約幾個原子間距範圍內出現的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內和晶體間的各種介面，如小角晶界、疇界壁、雙晶介面及晶粒間界等。
其中的堆垛層錯是指沿晶格內某一平面，質點發生錯誤堆垛的現象。如一系列平行的原子面,原來按abcabcabc……的順序成週期性重複地逐層堆垛，如果在某一層上違反了原來的順序，如表現為abcabcab│abcabc……，則在劃線處就出現一個堆垛層錯，該處的平面稱為層錯面。堆垛層錯也可看成晶格沿層錯面發生了相對滑移的結果。
小角晶界是晶粒內兩部分晶格間不嚴格平行，以微小角度的偏差相互拼接而形成的介面。它可以看成是由一系列位錯平行排列而導致的結果。在具有所謂鑲嵌構造的晶格中，各鑲嵌塊之間的介面就是一些小角晶界。
也有人把晶體中的包裹體等歸為晶體缺陷而再分出一類體缺陷。
④體缺陷。體缺陷主要是沉澱相、晶粒內的氣孔和第二相夾雜物等。
實際金屬晶體中有哪些缺陷
7樓：華全動力集團
實際金屬中的晶體缺陷：
1、點缺陷：
空位、間隙原子、異類原子。
點缺陷造成區域性晶格畸變，使金屬的電阻率、屈服強度增加，密度發生變化。
2、線缺陷：位錯。位錯的存在極大地影響金屬的力學效能。
當金屬為理想晶體或僅含極少量位錯時，金屬的屈服強度很高，當含有一定量的位錯時，強度降低。當進行形變加工時，位錯密度增加，將會增高。
3、面缺陷： 晶界、亞晶界。面缺陷是由位錯垂直排列成位錯牆而構成。亞晶界是晶粒內的一種面缺陷。
在晶界、亞晶界或金屬內部的其他介面上，原子的排列偏離平衡位置，晶格畸變較大，位錯密度較大，原子處於較高的能量狀態，原子的活性較大，所以對金屬中許多過程的進行，具有極為重要的作用。晶界和亞晶界均可提高金屬的晶體缺陷有點缺陷、線缺陷、面缺陷三種缺陷。
晶體缺陷有哪些型別？它們的基本特徵如何
1 點缺陷 只涉及到大約一個原子大小範圍的晶格缺陷。2 線缺陷 位錯 位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結構，可看成是區域性晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。滑移不貫穿整個晶格，晶體缺陷到晶格內部即終止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質點的錯亂排列，...
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