微控制器內部晶振與外部晶振的區別

2021-09-14 00:45:02 字數 578 閱讀 5272

1樓:匿名使用者

一、連線方式不同

1、內部晶振:由 c1 與 l1 構成的串聯共振。

2、外部晶振:由 c0、c1 與 l1 構成的並聯共振。

二、特點不同

1、內部晶振:會振盪在它的一個諧波頻率上,此諧波頻率是基頻的整數倍。 只使用奇數次諧波,例如 3 倍、 5 倍、與 7 倍的泛音晶體。

2、外部晶振:外部電路上的電容會把電路的振盪頻率拉低一些。在設計石英晶體振盪電路時,也應令電路上的雜散電容與外加電容合計値與晶體廠商使用的負載電容值相同。

三、振動頻率不同

1、內部晶振:頻率在 30 mhz 以上(到 200 mhz)的石英晶體。

2、外部晶振:頻率在 30 mhz 以下的石英晶體。

2樓:匿名使用者

外部晶振穩定 內部晶振的誤差比較大,但如果對頻率要求不高的話(比如不涉及串列埠通訊和精確定時等的話),用內部晶振就行 。內部時鐘,頻率受溫度等其它影響,但是能省下晶振的錢,還有2個i/o。如果對頻率要求不高,一般是優先選用內部振盪。

如果你要省電,用了sleep,那你就不能用內部振盪了,內部振盪回停止!

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