1樓：嗚哩哇啦然然
1、結型場效電晶體的管腳識別
場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數kω時，則這兩個管腳為漏極d和源極s（可互換），餘下的一個管腳即為柵極g。
對於有4個管腳的結型場效電晶體，另外一極是遮蔽極（使用中接地）。
2、 判定柵極（紅表筆接表內電池的負極，黑表筆接表內電池的正極）
用萬用表黑表筆碰觸管子的柵極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬於n溝道場效電晶體。
製造工藝決定了場效電晶體的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，並不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。若要區分，則可根據在源—漏之間有一個pn結，通過測量pn結正、反向電阻存在差異，識別s極與d極。將萬用表撥到r×100檔，用交換表筆法測兩次電阻，相當於給場效電晶體加上1.
5v的電源電壓，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻。此時黑表筆的是s極，紅表筆接d極。 注意不能用此法判定絕緣柵型場效電晶體的柵極。
因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
3、 估測場效電晶體的放大能力
將萬用表撥到r×100檔，相當於給場效電晶體加上1.5v的電源電壓。這時錶針指示出的是d-s極間電阻值。
然後用手指捏柵極g，將人體的感應電壓作為輸入訊號加到柵極上。由於管子的放大作用，uds和id都將發生變化，也相當於d-s極間電阻發生變化，可觀察到錶針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時錶針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若錶針不動，說明管子已經損壞。
由於人體感應的50hz交流電壓較高，而不同的場效電晶體用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時錶針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子rds減小，使錶針向右擺動，多數管子的rds增大，錶針向左擺動。無論錶針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。
2樓：文格林
這種型號應該這樣看：
前面75代表75v耐壓，後面75代表75a（實際是80a）,
220封裝，正面，左至右， g、d、s
誰能幫我看看電路圖上場效電晶體的三個引腳分別是什麼？很簡單的問題。 10
3樓：匿名使用者
場效電晶體與普通三極體功能一樣，三個電極對應為：發射機---源極s，基極--柵極g，集電極--漏極d。irf640管腳排列為（管腳朝下、面對型號）左起1腳為g，2腳為d，3腳為s。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
4樓：
這圖看不清楚，圖中mos管是最常見的irf640,引數為200v-18a大功率場效電晶體。
場效電晶體與普通三極體功能一樣，他的三個電極對應為：發射機---源極s，基極--柵極g，集電極--漏極d。irf640管腳排列為（管腳朝下、面對型號）左起1腳為g，2腳為d，3腳為s。
5樓：
這兩個管子是耗盡型場效電晶體p-mos，按照圖上畫的依次是，上面那隻管1號是d漏極，2號是g柵極，3號是s源極。下面那隻管子是1號是s源極，2號是g柵極，3號是d漏極
6樓：音響帝國**
t1（1）是漏極d，（2）是柵極g，（3）是源極s，
t1（1）是源極s，（2）是柵極g，（3）是漏極d，
7樓：匿名使用者
這兩個連結你看了就明白了。
8樓：
t1：1是d（漏），2是g（柵），3是s（源）
t2：1是s（源），2是g（柵），3是d（漏）
場效電晶體怎麼判斷腳位。
9樓：射手明明的困惑
1、結型場效電晶體的管腳識別：
場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數kω時，則這兩個管腳為漏極d和源極s(可互換)，餘下的一個管腳即為柵極g。
對於有4個管腳的結型場效電晶體，另外一極是遮蔽極(使用中接地)。
2、判定柵極
用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬於n溝道場效電晶體，黑表筆接的也是柵極。
製造工藝決定了場效電晶體的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，並不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
注意不能用此法判定絕緣柵型場效電晶體的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
10樓：
正面面朝自己，從左到右，gds
場效電晶體共分幾種，場效電晶體基本放大器按公共端不同可分為哪幾種？
場效應電晶體 fieldeffecttransistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。主要有兩種型別 junctionfet jfet 和金屬 氧化物半導體場效電晶體 metal oxidesemiconductorfet，簡稱mos fet 由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制...
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igbt管 萬用表檢測方法 igbt 管的好壞可用指 針萬用表的 rxlk 擋來檢測,或用數字萬用表的 版二極體 擋權來測量 pn 結正向壓降進行判斷。檢測前先將 igbt 管三隻引腳短路放電,避免影響檢測的準確度 然後用指標萬用表的兩枝表筆正反測 g e 兩極及 g c 兩極的電阻,對於正常的 i...