記憶體卡記憶體條的製作原理,記憶體卡工作原理

2023-01-15 13:50:51 字數 5189 閱讀 3641

1樓:匿名使用者

拿記憶體條來說吧

記憶體條上有幾個黑色的方塊,那些就是儲存顆粒,每個儲存顆粒都有一定容量,一條記憶體總容量就是上面所有儲存顆粒的容量之和。

分兩方面來說,一方面,如果每個儲存顆粒容量相同,儲存顆粒多的容量就更大,比如有的記憶體只有一面有儲存顆粒,有的記憶體兩面都有。另一方面,隨著工藝進步,電晶體的體積越來越小,那麼同樣體積的儲存顆粒就可以容納更多的電晶體,也即容量越大,這樣相同數量的儲存顆粒就可以有更大當然容量了。

儲存卡也類似

平常看到的如標準sd卡,它們體積都一樣,但容量不一樣,其實在同樣的工藝下,要增大容量,電晶體數量就要增多,體積也一定會增大。但為了讓不同容量的sd卡能被同樣的裝置使用,它們就被加上了外殼,外殼使得它們看起來都是一樣大的。

當然也可以用更先進的工藝,在相同體積的儲存顆粒上製作更大的容量。

像64m和1g的儲存卡這麼大的容量跨度,往往上面說的兩個原因都有,用更先進的工藝製作的1g的儲存顆粒也許比用老舊的工藝製作的64m的儲存顆粒體積還小。

2樓:匿名使用者

製作材料一般一樣,只是封狀顆粒不一樣.

記憶體卡工作原理

3樓:納語天承福

記憶體卡是通過spi協議傳送的可讀寫資料,裡面包裹clk,data1,2,3

rest等訊號

4樓:

現在手機、相機等數碼產品中所謂的記憶體卡,其專業稱呼統稱為快閃記憶體卡(flash卡),包括了cf卡、sd卡等等,其工作原理與硬碟的磁讀寫原理有不同。

具體參見:

記憶體條是用什麼材料做的,它的儲存原理是什麼?

5樓:匿名使用者

您好 記憶體條就是一個電路板 焊上幾個貼片晶片 工作原理二進位制 很很多的小單元組合起來 每個單元 只有兩種情況 一種是通電 讀為1 斷電為0 。因為單元多 就可以儲存大量的資料。 計算機工作的時候 需要高速傳輸 使用者的命令 通過鍵盤 進入南橋 到北橋 再傳到 處理器進行計算 然後通過北橋(新式的直接傳)傳入記憶體 再轉送 到南橋 至顯示器 或者到硬碟儲存介面 存起來 理解為 記憶體是你的工作臺(臨時寄放點,處理器的一二級快取是更前面的臨時寄放點) 處理器是你的手 硬碟是旁邊的儲備箱。

6樓:匿名使用者

材料:貼片記錄器,貼片越多記錄越多速度越快。

儲存原理:垂直儲存技術,就如條紋碼這樣識別。

記憶體的工作原理

7樓:

當執行一個程式需要大量資料、佔用大量記憶體時,記憶體這個倉庫就會被「塞滿」,而在這個「倉庫」中總有一部分暫時不用的資料佔據著有限的空間,所以要將這部分「惰性」的資料「請」出去,以騰出地方給「活性」資料使用。這時就需要新建另一個後備「倉庫」去存放「惰性」資料。由於硬碟的空間很大,所以微軟windows作業系統就將後備「倉庫」的地址選在硬碟上,這個後備「倉庫」就是虛擬記憶體。

儲存卡的儲存內部原理

8樓:匿名使用者

都知道u盤,記憶體卡,硬碟是存東西的,你知道它們的原理嗎 ?

flash 晶片 是應用非常廣泛的儲存材料,與之容易混淆的是 ram晶片 ,我們經常在有關it的文章裡面談到這兩種晶片。由於它們的工作條件與方式不一樣,決定它們效能和用途也有差異。   這裡簡單介紹一下它們的工作原理。

首先介紹一下計算機的資訊是怎樣儲存的。計算機用的是二進位制,也就是0與1。在二進位制中,0與1可以組成任何數。

而電腦的器件都有兩種狀態,可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電,磁性物質的已被磁化與未被磁化,物質平面的凹與凸,都可以表示0與1。 硬碟( flash晶片)—— 硬碟就是採用磁性物質記錄資訊的,磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電後不會喪失,所以磁碟斷電後依然能儲存資料。

而記憶體的儲存形式則不同,記憶體不是用磁性物質,而是用ram晶片。現在請你在一張紙上畫一個「田」,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個「田」字就是一個記憶體,這樣,「田」裡面的四個空格就是記憶體的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子 記憶體(ram晶片) ——記憶體通電後,如果我要把「1010」這個資訊儲存在記憶體(現在畫的「田」字)中,那麼電子就會進入記憶體的儲存空間裡。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。

這樣,「田」的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,記憶體就是這樣把「1010」這個資料儲存好了。電子是運動沒有規律的物質,必須有一個電源才能規則地運動,記憶體通電時它很安守地在記憶體的儲存空間裡,一旦記憶體斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出記憶體的空間去,所以,記憶體斷電就不能儲存資料了。   再看看u盤、***,它們的儲存晶片是flash晶片,它與ram晶片的工作原理相似但不同。

現在你在紙上再畫一個「田」字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質。好,flash晶片工作通電了,這次也是儲存「1010」這個資料。電子進入了「田」的第一個空格,也就是晶片的儲存空間。

電子把裡面的物質改變了性質,為了表示這個物質改變了性質,你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於資料「1010」的第二位數是0,所以flash晶片的第二個空間沒有電子,自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1,所以「田」的第三個空格通電,第四個不通電。

現在你畫的「田」字,第一個空格的物質塗上了顏色,表示這個物質改變了性質,表示1,第二個沒有塗顏色,表示0,以此類推。當flash晶片斷電後,物質的性質不會改變了,除非你通電擦除。當flash晶片通電檢視儲存的資訊時,電子就會進入儲存空間再反饋資訊,電腦就知道晶片裡面的物質有沒有改變。

就是這樣,ram晶片斷電後資料會丟失,flash晶片斷電後資料不會丟失,   還有一點ram的讀取資料速度遠遠快於flash晶片,所以執行遊戲、程式速度快慢看的是ram,也就是動態記憶體,而flash的大小並不影響執行速度。

?flash 晶片 是應用非常廣泛的儲存材料,與之容易混淆的是 ram晶片 ,我們經常在有關it的文章裡面談到這兩種晶片。由於它們的工作條件與方式不一樣,決定它們效能和用途也有差異。

  這裡簡單介紹一下它們的工作原理。首先介紹一下計算機的資訊是怎樣儲存的。計算機用的是二進位制,也就是0與1。

在二進位制中,0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態,可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電,磁性物質的已被磁化與未被磁化,物質平面的凹與凸,都可以表示0與1。

硬碟( flash晶片)—— 硬碟就是採用磁性物質記錄資訊的,磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電後不會喪失,所以磁碟斷電後依然能儲存資料。而記憶體的儲存形式則不同,記憶體不是用磁性物質,而是用ram晶片。現在請你在一張紙上畫一個「田」,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個「田」字就是一個記憶體,這樣,「田」裡面的四個空格就是記憶體的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子 記憶體(ram晶片) ——記憶體通電後,如果我要把「1010」這個資訊儲存在記憶體(現在畫的「田」字)中,那麼電子就會進入記憶體的儲存空間裡。

「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。這樣,「田」的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,記憶體就是這樣把「1010」這個資料儲存好了。電子是運動沒有規律的物質,必須有一個電源才能規則地運動,記憶體通電時它很安守地在記憶體的儲存空間裡,一旦記憶體斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出記憶體的空間去,所以,記憶體斷電就不能儲存資料了。

  再看看u盤、***,它們的儲存晶片是flash晶片,它與ram晶片的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質。好,flash晶片工作通電了,這次也是儲存「1010」這個資料。

電子進入了「田」的第一個空格,也就是晶片的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質,為了表示這個物質改變了性質,你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於資料「1010」的第二位數是0,所以flash晶片的第二個空間沒有電子,自然裡面那個物質就不會改變了。

第三位數是1,所以「田」的第三個空格通電,第四個不通電。現在你畫的「田」字,第一個空格的物質塗上了顏色,表示這個物質改變了性質,表示1,第二個沒有塗顏色,表示0,以此類推。當flash晶片斷電後,物質的性質不會改變了,除非你通電擦除。

當flash晶片通電檢視儲存的資訊時,電子就會進入儲存空間再反饋資訊,電腦就知道晶片裡面的物質有沒有改變。就是這樣,ram晶片斷電後資料會丟失,flash晶片斷電後資料不會丟失,   還有一點ram的讀取資料速度遠遠快於flash晶片,所以執行遊戲、程式速度快慢看的是ram,也就是動態記憶體,而flash的大小並不影響執行速度。

儲存卡的儲存內部原理是什麼?

9樓:羅曼阿嶼

將儲存卡看做網狀結構,也就是矩陣結構,這叫作flash存貯矩陣,由網格中的小存貯單元構成,靠的是儲存晶片flash,儲存的都是二進位制資訊,具體的情況可以參考下面的內容。

1、儲存卡是靠flash晶片儲存資訊的,其儲存原理要從eprom和eeprom說起,eprom是指其中的內容可以通過特殊手段擦去,然後重新寫入。其基本單元電路常採用浮空柵雪崩注入式mos電路,簡稱為famos。它與mos電路相似,是在n型基片上生長出兩個高濃度的p型區,通過歐姆接觸分別引出源極s和漏極d。

2、其次,在源極和漏極之間有一個多晶矽柵極浮空在sio2絕緣層中,與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電後(譬如負電荷),就在其下面,源極和漏極之間感應出正的導電溝道,使mos管導通,即表示存入0。若浮空柵極不帶電,則不形成導電溝道,mos管不導通,即存入1。

3、另外,eeprom基本儲存單元電路與eprom相似,它是在eprom基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵,前者稱為第一級浮空柵,後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極,使第二級浮空柵極接某一電壓vg。若vg為正電壓,第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應,使電子注入第一浮空柵極,即程式設計寫入。

若使vg為負電壓,強使第一級浮空柵極的電子散失,即擦除,擦除後可重新寫入。

4、sd卡儲存卡,是用於手機、數碼相機、行動式電腦、***和其他數碼產品上的獨立儲存介質,一般是卡片的形態,故統稱為「儲存卡」。儲存卡具有體積小巧、攜帶方便、使用簡單的優點。同時,由於大多數儲存卡都具有良好的相容性,便於在不同的數碼產品之間交換資料。

近年來,隨著數碼產品的不斷髮展,儲存卡的儲存容量不斷得到提升,應用也快速普及。

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