1樓：蒙雅潔
半導體制造的製程節點，那麼也就是指所謂"xxnm"的節點的意思。這裡面有多方面的問題，一是製造工藝和裝置，一是電晶體的架構、材料。電晶體的製造只是前端而已，積體電路的後端，包括互聯等等，也是每個技術節點都會進步的一大課題，這部分我也完全不懂，所以不涉及。
首先技術節點的意思是什麼。常聽說的，諸如，臺積電16nm工藝的nvidia gpu、英特爾14nm工藝的i5，等等，這個長譁腔度的含義，具體的定義需要詳細的給出電晶體的結構圖才行，簡單地說，在早期的時候，可以姑且認為是相當於電晶體的尺寸。
為什麼這個尺寸重要呢？因為電晶體的作用，簡單地說，是把電子從一端(s)，通過一段溝道，送到另一端(d)，這個過程完成了之後，資訊的傳遞就叢虧完成了。因為電子的速度是有限的，在現代電晶體中，一般都是以飽和速度執行的亂鄭衫，所以需要的時間基本就由這個溝道的長度來決定。
越短，就越快。這個溝道的長度，和前面說的電晶體的尺寸，大體上可以認為是一致的。但是二者有區別，溝道長度是乙個電晶體物理的概念，而用於技術節點的那個尺寸，是製造工藝的概念，二者相關，但是不相等。
在微公尺時代，一般這個技術節點的數字越小，電晶體的尺寸也越小，溝道長度也就越小。但是在22nm節點之後，電晶體的實際尺寸，或者說溝道的實際長度，是長於這個數字的。比方說，英特爾的14nm的電晶體，溝道長度其實是20nm左右。
半導體歷史發展有哪些
2樓：科創
半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。
1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金瞎拿鄭屬的電阻隨溫度公升高而增加，但巴拉迪發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上公升而降低。
這是半導體現象的首次發現。
不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生乙個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的磨頌半導體的第二個特徵。
1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體敏猜又乙個特有的性質。
半導體的這四個效應，(jianxia霍爾效應的餘績──四個伴生效應的發現)雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。
而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加乙個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。
同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
半導體的發展史
3樓：張三**
年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度公升高而增加，但法拉第發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上公升而降低。
這是半導體現象的首次發現。
年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生乙個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特性。
年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體的第三種特性。
年德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與滾則所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加乙個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第四種特性。
同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。
5、半導體的這四個特性，雖在1880年以前就先後被發現了，但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。
而總結出半導體的大森棚這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
基於半導體制造工藝
4樓：
摘要。半導體制造工藝包括以下幾個步驟：1.
製備半導體材料： 通常是由金屬化學氣相沉積（mocvd）或濺射製備出細小的半導體結構；2. 製備半導體器件：
包括用掩膜技術製備電晶體，並使用金屬蒸鍍技術將金屬路線定位到合適的位置；3. 封裝和測試： 將器件封裝在絕緣基板上，使用自動測試裝置將器件進行功能測試；4.
產品測試： 將檢驗合格的器件放入封裝外殼中，使用專業儀器將外殼封裝好的器件進行電引數測試；5. 工藝除錯：
對半導體工藝進行除錯，確保控制合格產品的質量符合要求。
半導體制造工藝包括以下幾個步驟：1. 製備半導體材料：
通常是由金屬化學氣相沉積（mocvd）或濺射製備出細小的半導體結構；2. 製備半導體器件： 包括用掩膜技術製備電晶體，並使用金屬蒸鍍技術將金屬路和衫線定位到合適的位置；3.
封裝和測試： 將器件封裝在絕緣基板上，使用自動測試設配中備將器件進行功能測試；4. 產品測試：
將檢驗合格的器件放入封裝培棚山外殼中，使用專業儀器將外殼封裝好的器件進行電引數測試；5. 工藝除錯： 對半導體工藝進行除錯，確保控制合格產品的質量符合要求。
解釋 ：光刻工藝技術 犧牲層工藝技術 liga技術。
光刻工藝技術：光刻工藝是一種使用光敏薄膜，通過**和蝕刻這兩個步驟，來形成微型晶元元件的複雜結構的工藝技術。犧牲層工藝技術：
犧牲層工藝是一種可以用來製造微型元件的工藝，它通過在晶元表舉薯面形成一層「犧牲層」，然後將該層用酸溶劑溶解，從而形成更小元件的過程。liga技術：liga技術（lithography, electrostatically-assisted galvanoforming and ablation）是一種特殊的光刻工藝，可以利用x線、電子束或離子束蒸發型金屬膜，來製做答腔造微公尺級尺寸的高精度元件。
純衫。鏈結也行。
半導體產業是什麼 半導體產業的概念
5樓：新酷數碼
1、半導體產業隸屬電子資訊產業，屬於硬體產業，以半導體為基礎而發展起來的乙個產業。
2、半導體指常溫下導電效能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在積體電路、消費電子、通訊系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極體就是採用半導體制作的器件。
3、無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，矽是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體制冷片如何用萬用表來測試判斷好壞
半導體制冷片的好壞可以採用萬用表測量其電阻，電流或者電壓來進行判斷，半導體制冷片電阻正常範圍為0 0.05歐，半導體制冷片電流正常範圍為0 0.09安，半導體制冷片電壓正常範圍為0 0.1伏。1 首先需要將萬用用筆兩隻表筆接在半導體制冷片和地線上，分紅線和黑線，紅線是連線半導體制冷片的正極，黑線是連...
影響半導體器件響應特性的因素有哪些
理工類專業 數學與應用數學 資訊與計算科學 物理學 應用化學 生物技術 地質學 大氣科學類 理論與應用力學 電子資訊科學與技術 環境科學 採礦工程 石油工程 冶金工程 機械設計製造及其自動化 建築學等。1 建築學專業 建築學是一門以學習如何設計建築為主，同時學習相關基礎技術課程的學科。主要學習的內容...
5寸半導體矽片減薄裝置有哪些
減薄裝置有矽片減薄機 晶圓研磨機 矽片減薄機 本裝置主要用於藍寶石襯底 矽片 陶瓷片 光學玻璃 石英晶體 鉭酸鋰，石墨烯，硫化銦等其它半導體材料等非金屬和金屬的硬脆性材料薄形精密零件的高速減薄，非常地方便。 晶圓研磨機 主要用於晶圓表面精細加工，適用伍租於半導體矽片 電子元器件 功率器件加工等。它功...