請問光電流的大小與入射光強度有哪些關係

2021-05-17 18:44:22 字數 1842 閱讀 5647

1樓:匿名使用者

如光的強度,頻率大小有關。 當有光電子發出後,光電流的強度跟入射光強度成正比。 問得太壟統。與光電材料的效能、受光面積、光入射角度和光

2樓:匿名使用者

光照在金屬上,金屬裡的電子吸收電磁波逃逸出來,電子逃逸出來的後的能量e=hf-w,其中版h為普朗克常量權,f為電磁波的頻率,w為逸出功,從愛因斯坦光電效應可以看出,只有hf>w時,電子才能逸出,也就是說電磁波的頻率要足夠大時,電子才會逃逸出來,而且逃逸出來後的能量與電磁波的頻率有關,電磁波頻率越大,電子逃逸出來的能量也越大,光電流也就越強

3樓:虛偽啊高調

愛因斯坦的光電效應,光電效應只和入射光頻率有關,和入射光強度無關,能量傳遞是量子化的

光電效應產生的電流的大小跟入射光的大小有沒有關係?波長呢?頻率呢?都是什麼關係?

4樓:斜陽紫煙

都有關係。具體關係需要由產品的相關曲線確定。典型的,能反應光強弱的測光器件,就是能反應光的強弱的。如果與光強無關就不是光敏器件了

波長與頻率應該是同一引數。

5樓:a別叫我大叔

電流大小跟入射光的頻率有關,在入射光的波長小於材料極限頻率的情況下,入射光頻率越小,產生的電流越大。在因為光的波長與頻率的乘積是一個光的速度(認為常數)所以,在能產生光電流的情況下,入射光波長越短,頻率越大,產生電流越大。

6樓:匿名使用者

光電流跟入射光的強度有很大的關係,跟波長(或頻率,與波長是一一對應的)也有一定的關係。

所謂光電效應,是指某些金屬在光照時會有電子逸出的現象。

光電效應的最初的幾個重要的實驗規律:

(1)每種金屬都有各自的極限頻率,入射光的頻率低於極限頻率,無論光的強度如何,都沒有光電子產生。

(2)在有能使金屬產生光電效應的光照射時,光電子幾乎是瞬時就發射出來,延遲時間在納秒的數量級。

(3)產生的光電流與入射光的強度成正比。

(4)對於某種金屬,發射的光電子的最大初動能只與入射光的頻率有關,與光的強度無關。

愛因斯坦對光電效應現象的解釋

(1)光的量子說:愛因斯坦認為,光是不連續的,一份一份的,每一份就是一個光子,每個光子的能量與其頻率成正比,為hν,式中h為一個常量,叫普朗克常量。

(2)愛因斯坦光電效應方程:hν=w+ek,即光電子的最大初動能ek=hν-w,式中ν是光的頻率,hν表示光子的能量,w是金屬的逸出功。一般來說, 不同的金屬,逸出功不一樣。

(3)截止頻率存在的原因:如果光子的頻率低,能量不足以克服金屬的逸出功,就不能跑出金屬,光電效應不能發生。

(4)最大初動能解釋:由ek=hν-w可知,對某種金屬來說,不同的頻率ν對應不同的最大初動能,只與頻率有關。

(5)對光電子的瞬時發射的解釋:光照時,一個光子的能量一次性給一個電子,不存在時間的積累過程。

(6)對光電流的解釋:在頻率滿足極限頻率的條件下,照射光越強,同一時間內產生的光電子也越多,產生的光電流越大。

飽和光電流的大小為什麼只與入射光光強有關,與入射光頻率無關?

7樓:love就是不明白

飽和光電流自

的大小為什麼bai只與入射光光強有關

du,與入射光頻率無關

光電效應:在光zhi的照射下,某些物質內部dao的電子會被光子激發出來而形成電流,即光生電 。

當入射光強度增大時,根據光子假設,入射光的強度(即單位時間內通過單位垂直面積的光能)決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數,單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多,於是,光子與金屬中的電子碰撞次數也增多,因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多,飽和電流也隨之增大。

光電效應中的光電流,光電效應中的光電流

我覺得就像 河的這抄頭襲有10只船 每隻船隻能承載一個客人bai 不管有多少人要du度過河,其在同一時zhi間最大的度河流量也只dao有10人啊.這應該就是飽和電流的意義吧.0 而這船就是頻率拉 你說當達到極限頻率後,產生的光電流大小與光子數量有關,與入射頻率有關似乎恰好反了吧.愛因斯坦已經回答過了...

光電流的強度與入射光的強度成正比嗎

摘 抄 要 在高中課本第二冊第八章的 光電效應 一節中,關於光電效應的第四條規律是這樣描述的 當人射光的頻率大於極限頻率時,光電流的強度與入射光的強度成正比.許多同學在做題時,不管條件如何,對於這條規律總是理解為 入射光的強度越大,光電流的強度就越大 入射光的強度相等,光電流的強度也相等 從而導致了...

電流的大小與什麼因素有關,發電機產生電流的大小與什麼因素有關

電流的大小與電壓和電阻有關。歐姆總結出了它們三者的關係 電壓一定時,電流與電阻成反比 電阻一定時,電流與電壓成正比,用公式表示就是 i u r。歐姆定律成立時,以導體兩端電壓為橫座標,導體中的電流i為縱座標,所做出的曲線,稱為伏安特性曲線。這是一條通過座標原點的直線,它的斜率為電阻的倒數。具有這種性...