1樓：小北
半導體發光主要和禁頻寬度有關係，gan是發藍光所用的材料。
led外延片是什麼？
2樓：是水墨氤氳情愫
led外延片是led內部的晶片生產的原材料，它是在藍寶石襯底上通過化學氣相沉積技術生長出來的一層薄膜。之後在外延片上注入基區和發射區，再通過切割等工藝，就可以形成led晶片。led晶片通過封裝工藝，才會形成我們看到的led燈珠。
led外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送
到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
led外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的led外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。
led外延片襯底材料選擇特點：
1、結構特性好，外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數失配度小、結晶效能好、缺陷密度小。
2、介面特性好，有利於外延材料成核且黏附性強
3、化學穩定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕
4、熱學效能好，包括導熱性好和熱失配度小
5、導電性好，能製成上下結構
6、光學效能好，製作的器件所發出的光被襯底吸收小
7、機械效能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等
8、**低廉。
9、大尺寸，一般要求直徑不小於2英吋。
10、容易得到規則形狀襯底(除非有其他特殊要求)，與外延裝置托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規則渦流，以至於影響外延質量。
11、在不影響外延質量的前提下，襯底的可加工性儘量滿足後續晶片和封裝加工工藝要求。
襯底的選擇要同時滿足以上十一個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術的變更和器件加工工藝的調整來適應不同襯底上的半導體發光器件的研發和生產。用於氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用於生產的襯底目前只有二種，即藍寶石al2o3和碳化矽sic襯底。
表2-4對五種用於氮化鎵生長的襯底材料效能的優劣進行了定性比較。
led外延片的襯底材料考慮的因素：
1、襯底與外延膜的結構匹配：外延材料與襯底材料的晶體結構相同或相近、晶格常數失配小、結晶效能好、缺陷密度低;
2、襯底與外延膜的熱膨脹係數匹配：熱膨脹係數的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹係數上相差過大不僅可能使外延膜質量下降，還會在器件工作過程中，由於發熱而造成器件的損壞;
3、襯底與外延膜的化學穩定性匹配：襯底材料要有好的化學穩定性，在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因為與外延膜的化學反應使外延膜質量下降;
4、材料製備的難易程度及成本的高低：考慮到產業化發展的需要，襯底材料的製備要求簡潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小於2英寸。
目前led外延片襯底材料
當前用於gan基led的襯底材料比較多，但是能用於商品化的襯底目前只有兩種，即藍寶石和碳化矽襯底。其它諸如gan、si、zno襯底還處於研發階段，離產業化還有一段距離。
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3樓：
led晶片加工過程中的一種晶片材料。
led外延片是什麼？
4樓：
led外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和sic，si）上，氣態物質in,ga,al,p有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
外延產品應用於4個方面，cmos互補金氧半導體支援了要求小器件尺寸的前沿工藝。cmos產品是外延片的最大應用領域，並被ic製造商用於不可恢復器件工藝，包括微處理器和邏輯晶片以及儲存器應用方面的閃速儲存器和dram（動態隨機存取儲存器）。分立半導體用於製造要求具有精密si特性的元件。
目前，200 mm晶片中，外延片佔1/3。2023年，包括掩埋層在內，用於邏輯器件的cmos佔所有外延片的69%，dram佔11%，分立器件佔20%。
5樓：玉旎機昊
led外延片可以切割成led晶片，再封裝後，就是日常見到的led了。
6樓：gb的知識店鋪
led外延片是led內部的晶片生產的原材料，它是在藍寶石襯底上通過化學氣相沉積技術生長出來的一層薄膜。之後在外延片上注入基區和發射區，再通過切割等工藝，就可以形成led晶片。led晶片通過封裝工藝，才會形成我們看到的led燈珠。
氮化鎵襯底有什麼用
7樓：匿名使用者
用於氮化鎵生長的bai最理想的du襯底自
然是氮化鎵單zhi晶材料，這樣可以dao大大專提高外延膜的晶體質屬量，降低位錯密度，提高器件工作壽命，提高發光效率，提高器件工作電流密度。可是，製備氮化鎵體單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。有研究人員通過hvpe方法在其他襯底(如al2o3、sic、lgo)上生長氮化鎵厚膜，然後通過剝離技術實現襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離後的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。
這樣獲得的氮化鎵厚膜優點非常明顯，即以它為襯底外延的氮化鎵薄膜的位錯密度，比在al2o3、sic上外延的氮化鎵薄膜的位錯密度要明顯低；但**昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導體照明的襯底之用受到限制。望採納
LED襯底 外延片 晶片到底怎麼區分？求祥解
1.襯底是指藍寶石晶棒或者是矽經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。2.外延片是指經過mocvd加工的 外延生長的基本原理是 在一塊加熱至適當溫度的襯底基片 主要有藍寶石和 sic si 上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。具體流程是襯底 結構設計 緩...
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