請問一下電磁爐電路板裡的IGBT是個什么元件

2021-05-18 00:35:08 字數 1211 閱讀 6181

1樓:匿名使用者

igbt是絕緣柵雙極型晶體抄管(isolated gate bipolar transistor),它是八十年襲代bai初誕生,九十年代迅du速發展起來的新zhi型複合電力電子器件。igbt將mosfet與gtr的優dao點集於一身,既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型,又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。因此,igbt的新技術、新工藝不斷有新的突破;應用頻率硬開關5khz~40khz,軟開關40khz~150khz;功率從五千瓦到幾百千瓦的應用場合。

igbt器件將不斷開拓新的應用領域,為高效節能、節材,為新能源、工業自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, ups/eps, 感應加熱)提供了新的商機。為了使初次使用者正確用好igbt模組,最大限度地發揮igbt模組的作用,以下是最基本的使用說明。

2樓:姚嫚

igbt是絕緣柵雙極電晶體,在電磁爐裡可以通過控制輸出電壓的大小調節溫度的高低.

3樓:沈潔

hehe528528 說的是正確的,補充一下,igbt是vmos和bjt組成,vmos是v型場效電晶體,電壓驅動器件,輸入阻抗高,但是版輸入電容大, igbt是voms在前,bjt在後,好處是在權高壓大電流應用的時候,後級的bjt壓降小,導通電阻的,效率高,而前級由於使用vmos所以驅動功耗小,不過需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^ hehe528528告訴你的答案是從書本上抄襲來的,我告訴你的可是書本上沒有的哦,分數要給誰你就自己看著辦吧

4樓:一笑

igbt(insulated gate bipolar transistor)

絕緣柵抄

雙極型功率管

是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域

5樓:科技微迷

電磁爐裡的igbt起著很重要的作用,到底什麼是igbt?看完長知識了

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