1樓：匿名使用者
非平衡載流來子的產生：
自非平衡狀態的半導bai體有兩種情況，
1、一種是du比平衡載流子多出了一zhi部分載流子，為注dao入情況；
2、另一種是比平衡載流子缺少了一部分載流子，為抽出情況。
擴充套件資料運動形式
非平衡載流子的運動：因為作為少數載流子的非平衡載流子能夠產生濃度梯度，所以，非平衡載流子的擴散是一種重要的運動形式；
在小注入時，儘管非平衡載流子的數量很小，但是它可以形成很大的濃度梯度，從而能夠產生出很大的擴散電流。相對來說，非平衡載流子受電場作用而產生的漂移電流卻往往較小。
2樓：匿名使用者
1. 注入，比如電注入，光注入等等
2. 摻雜
3樓：吾一峰
同求？還有就是他們的特徵是什麼？
什麼是非平衡載流子？為什麼會出現非平衡載流子
4樓：
非平衡載流子是指處於非平衡狀態的半導體，其載流子濃度也不再是n0和p0（此處0是下標），可以比他們多出一部分。比平衡狀態多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。
請問什麼叫做載流子
5樓：匿名使用者
載流子就bai是帶有電荷、
du並可運動而輸運電流的粒zhi子，包括電子、dao離子等。半內導體中的載流子容有兩種，即帶負電的自由電子和帶正電的自由空穴。實際上，空穴也就半導體中的價鍵空位，一個空位的運動就相當於一大群價電子的運動；只不過採用數量較少的空穴這個概念來描述數量很多的價電子的運動要方便得多。
所以，從本質上來說，空穴只是一大群價電子的另一種表述而已。 http://baike.
6樓：匿名使用者
載流子：電荷的載體，可以是電子、空穴或正負離子
半導體物理，非平衡載流子問題。
7樓：書劍秀才
這裡的非平衡載流子指的就是非平衡載少子。雖然半導體受激發後也會產生非平衡多子，但決定半導體性質的是非平衡載少子。
非平衡少子的數目=產生率*少子壽命=10^18cm^(-3)/s^(-1)*100us = 10^14cm^(-3)
這個可以從這個微分方程看出來
dn/dt = a-n/τ，其中a為產生率，τ為壽命。當時間足夠長，n的數目基本不變後dn/dt=0,得到
n/τ=a，n=aτ
8樓：匿名使用者
樓上回答有問題，只考慮了產生沒有考慮複合。我認為應該是這樣的。
根據上面推導的式子可以得到任意時刻半導體內的非平衡載流子的濃度。
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