關於ssd的問題,三星850evo和東芝q系列,選誰?

2025-06-15 05:10:19 字數 3073 閱讀 1063

1樓:不鴻光

如果是我的話,寧願選東芝q系列。

確實如樓層說的,三星主控晶元不錯,至於顆粒方面就不敢恭維了,850evo測試速度快但是會掉速的原因在於其顆粒是tlc,然後對外宣傳所謂3d v-nand快閃記憶體晶元,測速快只是由於運用了快取記憶體,tlc模擬slc之類的手段,一旦讀寫一定大小的檔案,速度就會大大下降(顯露本質),而tlc顆粒在市面上tlc而東芝q系列,快閃記憶體使用的是自家的19mn mlc顆粒,快閃記憶體晶元很好,主控是雖然不是marvell,但是也算好的了,掉速肯定不會像850evo那樣,畢竟是mlc,測速軟體測的話沒用,三星evo系列測速是「作弊」的,另外其實很多數硬碟使用效果都大同小異,從價效比和穩定和壽命上說我肯定選東芝q系列。

2樓:網友

選東芝,東西裝多了也只是輕微掉速。

3樓:

850evo吧,主控晶元和儲存晶元都不錯。

固態硬碟。。東芝q,mx200和三星850evo.怎麼選?

4樓:三星問答服務

您諮詢的三星固態硬碟與其他品牌固態硬碟對比的問題,因為品牌不同,產品的設計理念等也是不一樣的,各有優勢,建議您根據您的需求及喜好選擇合適的固態硬碟。

若想要了解三星某款固態硬碟的資訊,可以登入三星官網 ,在個人及家用產品中選擇ssd來檢視符合您要求的固態硬碟型號。

5樓:網友

1:三星主控晶元不錯,至於顆粒方面就不敢恭維了,850evo測試速度快但是會掉速的原因在於其顆粒是tlc,然後對外宣傳所謂3d v-nand快閃記憶體晶元,測速快只是由於運用了快取記憶體,tlc模擬slc之類的手段,一旦讀寫一定大小的檔案,速度就會大大下降(顯露本質),而tlc顆粒在市面上tlc2:而東芝q系列,快閃記憶體使用的是自家的19mn mlc顆粒,快閃記憶體晶元很好,主控是雖然不是marvell,但是也算好的了,掉速肯定不會像850evo那樣,畢竟是mlc,測速軟體測的話沒用,三星evo系列測速是「作弊」的。

3:其實很多數硬碟使用效果都大同小異,從價效比和穩定和壽命上說,可以選東芝q系列。

6樓:網友

這三個選東芝q吧,mx200盤沒啥問題,價效比不錯,主要是鎂光國內售後不怎麼靠譜,壞了可能維修出現問題,如果不考慮售後,選它可以,但好像沒有120-128g小容量的,250g起。三星這款盤持續降價中,它採用tlc快閃記憶體,本來就不應該和別的廠家mlc**相當,而且近期已出現舊檔案時間久了讀取速度慢的問題,所以可以不考慮它。東芝q盤雖然沒有快取,其主控方式不需要快取,所以在測試中4k偏低,而在模擬實際使用的測試時分數還是比較高的,所以值得購買。

東芝q300系列 120g與三星750 evo系列 120g 哪個好

7樓:匿名使用者

兩個品牌,各有優點。

1、機械硬碟,是東芝的好一些。三星的機械硬碟效能和質量一般,遠不如東芝,目前已經被希捷收購了。

2、固態硬碟,三星的硬碟略勝一籌。目前三星的主流固態硬碟850系列,是最暢銷的固態硬碟之一,而951以後的型號,又是介面的固態硬碟中速度最快的型號之一。而且所有介面的固態硬碟產品線都十分齊全。

3、東芝的固態硬碟就沒有這麼多了,就是早期的沒有快取的q系列和現在的主流q300和q300 pro。質量不錯,但型號較少。

東芝q300系列 120g與三星750 evo系列 120g 哪個好

8樓:端木秀梅用婉

的效能是介面的約3倍!但是介面分走通道和pci-e通道2種,pci-e通道的可以吊打的ssd,另外你的機器得有介面才可以。而你說的這2種ssd效能上沒有本質區別(你這個是走通道的)考慮到介面的ssd幾乎所有電腦都可以上。

綜合考慮還是買三星750

evo120g。當然了僅僅就你說的2種ssd來說事。實際上不推薦買這個200多塊再加100都可以買256g的了。你像這款飢餓鯊/ocz

trion150系列。

240gssd是349元,當然還有不少就不再列舉了自己找下吧!**貴不了100,容量效能都比你提供的2款好。

三星ssd 850evo的**評價

9樓:奶茶

【pconline 首測】繼著國內ssd的市場逐漸成熟,產品細分化是必然的選擇。三星也諳熟其中市場策略,從830時代開始,三星就推出840pro、840兩款不同定位的ssd ,之後針對840/840pro公升級的840 evo/850pro,都瞄準了細分化的市場。更精準的人群定位、更出色的效能表現,更高的價效比讓三星ssd長期佔據著銷量榜首位置。

四個問題幫您全面瞭解三星850evo:

問題1:快閃記憶體是否有變化?

跟很多人期待的一樣,快閃記憶體確實有所變化。三星850evo系列採用基於三星獨家的3d-nand技術 3bit快閃記憶體。

三星自己的32層3d v-nand技術,可提供兩倍於傳統20nm平面nand快閃記憶體的密度和寫入速度。三星850evo 通過改為32層柱狀細胞結構,可以垂直堆疊更多個細胞層,從而提高密度,降低碳足跡,提供更出色的效能表現以及更好的穩定性、可靠性,並有助於提公升3bit快閃記憶體的耐用性。

問題2:主控上是否有公升級?

相比於840evo 的mex主控,三星850evo 120g、250g及500g均採用了最新mgx主控(1tb版本仍舊是mex主控)。新一代mgx主控特別針對低容量版本進行隨機讀寫效能的優化,且功耗表現更出色,並支援佇列trim指令,支援aes-256位加密。

問題3:三星850evo的效能表現如何?

三星850evo除了提供最大1tb容量外,還擁有120g、250g以及500gb三種容量。效能方面,持續讀寫最高都是540mb/s、520mb/s,隨機讀寫最高94000-98000 iops、88000-90000 iops,堪稱效能讀寫的佼佼者。此外,相比於840evo 的3年質保,850evo提供長達5年的質保,看得出三星對3d v-nand快閃記憶體還是非常有信心的。

問題4:850evo的市場售價如何?主要競爭對手有哪些?

上市時,**會稍微高一些,有外媒爆料上市價120g/250g/500g/1tb分別是100美元、146美元、258美元、477美元,這樣**有一些水分,相信國內市場會比這個**更低一些。提到它的競爭對手,包括浦科特m6s、英睿達mx100、閃迪ultra等都擁有不俗的競爭力。

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